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基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型

簡(jiǎn)要描述:基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型:JSIR340-4型經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的紅外輻射源專為NDIR氣體分析和其他紅外測(cè)量應(yīng)用而優(yōu)化,如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法。基于CMOS的紅外輻射源的膜片可達(dá)到高達(dá)800°C的溫度。它能夠?yàn)楣I(yè)應(yīng)用提供長(zhǎng)期穩(wěn)定的輻射輸出,用于在環(huán)境溫度為-20至85°C之間控制和監(jiān)測(cè)過(guò)程氣體。

  • 產(chǎn)品品牌:Micro-Hybrid
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時(shí)間:2024-09-25
  • 訪  問(wèn)  量:245

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詳細(xì)介紹

品牌Micro-Hybrid應(yīng)用領(lǐng)域綜合

基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

描述

JSIR340-4型經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的紅外輻射源專為NDIR氣體分析和其他紅外測(cè)量應(yīng)用而優(yōu)化,如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法。基于CMOS的紅外輻射源的膜片可達(dá)到高達(dá)800°C的溫度。它能夠?yàn)楣I(yè)應(yīng)用提供長(zhǎng)期穩(wěn)定的輻射輸出,用于在環(huán)境溫度為-20至85°C之間控制和監(jiān)測(cè)過(guò)程氣體。

硅濾波器優(yōu)化了從紫外到15.5微米波長(zhǎng)范圍內(nèi)的輻射輸出。

作為SMD封裝,JSIR340特別適合自動(dòng)拾放裝配和大批量生產(chǎn)。

我們紅外輻射源中使用的MEMS芯片包含一個(gè)多層熱板膜片,內(nèi)含一個(gè)高溫穩(wěn)定的金屬CMOSI層。發(fā)射器芯片的有效面積為2.2 x 2.2平方毫米,基于硅襯底并采用背刻蝕膜技術(shù)。所有薄膜工藝均采用標(biāo)準(zhǔn)MEMS工藝和CMOS兼容材料完成。活性C-MOSI電阻層免受老化和環(huán)境影響。

應(yīng)用

l非色散紅外氣體檢測(cè)

l衰減全反射光譜法

l直接紅外光譜法

l光聲光譜法

目標(biāo)氣體

l二氧化碳(CO2)

l甲烷(CH4)

l丙烷(C3H8)

l乙醇(C2H5OH)

l其他紅外活性氣體

特點(diǎn)

l成本效益高的組件

l標(biāo)準(zhǔn)MEMS技術(shù)

lCMOS兼容制造工藝

l有效的自動(dòng)化裝配工藝,采用SMD封裝

l熱板溫度高達(dá)740°C

l適當(dāng)?shù)妮椛漭敵?/span>

l由于熱質(zhì)量低,調(diào)制深度高

技術(shù)參數(shù)

技術(shù)參數(shù)

TO39 open

SMD Si ARC

單位

光譜輸出范圍

2 ... 15

2 ... 15

μm

有效面積

2.2 x 2.2

2.2 x 2.2

mm2

耐熱1

19 ± 5

17 ± 5

Ω

溫度系數(shù)2

typ. 1 200

typ. 1 000

ppm/K

時(shí)間常數(shù)0-63%

typ. 13

typ. 11.5

ms

標(biāo)稱功耗3

650

650

mW

工作電壓4

typ. 3.5

typ. 3.3

V

工作電流4

typ. 180

typ. 200

mA

推薦驅(qū)動(dòng)模式

Power mode

Power mode

活動(dòng)區(qū)域溫度1,5,6

600 ± 30

500 ± 30

°C

窗口

open

Si ARC

外殼

TO39

SMD

預(yù)計(jì)使用壽命7,8

> 5 000 h at 740 °C

> 100 000 h at 600 °C

> 5 000 h at 640 °C

> 100 000 h at 500 °C

絕對(duì)最大額定值

輸入功率3,5

1 000

1 000

mW

外殼溫度8

200

200

°C

活動(dòng)區(qū)域溫度

740

640

°C

1. 額定功率下的單位

2. 25°C - 700°C

3. 功率開(kāi)啟狀態(tài)

4. 帶有25Ω熱電阻

5. 環(huán)境溫度為25°C時(shí)

6. 通過(guò)紅外相機(jī)(0.7-1.1μm)測(cè)量的熱點(diǎn)溫度降低10%后的溫度分布平均值

7. 連續(xù)模式下,平均排除故障時(shí)間(MTTF)為63%(膜斷裂,基于阿倫尼烏斯定律的計(jì)算值)

8. 包括環(huán)境溫度

典型操作特性

基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

電氣示意圖

基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

電路

等效電路圖

基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

機(jī)械制圖

TO39底部

基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

SMD底部

基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

截面圖-TO39 reflector open

基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

截面圖-SMD with filter

基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

產(chǎn)品概述

型號(hào)

類型

填充氣體

低溫度

最高溫度

光圈

窗口

JSIR340-4-AL-R-D6.0-0-0

TO39 with reflector

None

-20 °C

180 °C

6.0 mm

Open

JSIR340-4-CB-0-S5.0-Air-A7

SMD

None

-20 °C

85 °C

5.0 x 5.0 mm2

Si ARC

 

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