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MTS4SENS 熱電堆探測(cè)器

簡(jiǎn)要描述:MTS4SENS 熱電堆探測(cè)器:這款四通道探測(cè)器基于四個(gè)芯片,每個(gè)芯片包含44個(gè)硅熱電偶。通過在TO39封裝中填充氪氣,IR熱電堆實(shí)現(xiàn)了高達(dá)1.61*10^8 cm√Hz/W的探測(cè)度和高達(dá)39 V/W的靈敏度,同時(shí)具有非常好的性價(jià)比。該探測(cè)器適用于車輛尾氣測(cè)量、過程分析或工業(yè)氣體測(cè)量等多種應(yīng)用,在-20至85°C的環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作,因此在NDIR組件產(chǎn)品組合中提供了額外的選擇。

  • 產(chǎn)品品牌:Micro-Hybrid
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時(shí)間:2024-09-26
  • 訪  問  量:159

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詳細(xì)介紹

品牌Micro-Hybrid應(yīng)用領(lǐng)域綜合

MTS4SENS 熱電堆探測(cè)器 

MTS4SENS44 3C-1

MTS4SENS44TEST

MTS4SENS44NOX

MTS4SENS44 3C-2

MTS4SENS200 TEST

MTS4SENS200 NOX

MTS4SENS200 3C-1

MTS4SENS200 3C-2

MTS4SENS200 anesthesia

描述

MTS4SENS44 3C-1 二氧化碳探測(cè)器是一款四通道探測(cè)器,用于測(cè)量選定氣體:一氧化碳(CO)(中心波長(zhǎng):4650 ± 40 nm,半高寬:180 ± 20 nm)、二氧化碳(CO2)(中心波長(zhǎng):4265 ± 25 nm,半高寬:120 ± 10 nm)和碳?xì)浠衔铮ㄖ行牟ㄩL(zhǎng):3400 ± 20 nm,半高寬:140 ± 20 nm),以及參考通道(中心波長(zhǎng):3910 ± 28 nm,半高寬:70 ± 10 nm)。

這款四通道探測(cè)器基于四個(gè)芯片,每個(gè)芯片包含44個(gè)硅熱電偶。通過在TO39封裝中填充氪氣,IR熱電堆實(shí)現(xiàn)了高達(dá)1.61*10^8 cm√Hz/W的探測(cè)度和高達(dá)39 V/W的靈敏度,同時(shí)具有非常好的性價(jià)比。該探測(cè)器適用于車輛尾氣測(cè)量、過程分析或工業(yè)氣體測(cè)量等多種應(yīng)用,在-20至85°C的環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作,因此在NDIR組件產(chǎn)品組合中提供了額外的選擇。

集成的熱敏電阻用于參考溫度確定,接地吸收器確保將輻射能高效轉(zhuǎn)換為熱能。然后,熱電偶將熱能轉(zhuǎn)換為電能。

應(yīng)用

l醫(yī)療技術(shù):麻醉設(shè)備、患者監(jiān)測(cè)

l環(huán)境工程:監(jiān)測(cè)沼氣廠中的CH4

l實(shí)驗(yàn)室技術(shù)/生物工程:測(cè)量細(xì)胞和組織生長(zhǎng)中的CO2和H2O,檢測(cè)C2H5OH

l工業(yè)過程控制:檢測(cè)SO2、NO、CO和其他相關(guān)工藝氣體

l安全技術(shù)/防爆保護(hù):CO2、CO、CH4檢測(cè)

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

l由于使用了最佳材料,如BiSb/Sb用于熱電效應(yīng)(MTS200),性能較完善。

l最佳探測(cè)度

l高靈敏度

特點(diǎn)

l多氣體解決方案

l使用不同氣體進(jìn)行回填以適應(yīng)性能

l可定制

技術(shù)參數(shù)

技術(shù)參數(shù)

TS 200

TS 44

單位

有效面積

4 x (1.2 x 1.2)

4 x (1.0 x 1.0)

mm2

相對(duì)孔徑

4 x (1.5 x 1.5)

4 x (1.5 x 1.5)

mm2

熱電偶數(shù)量

200

44

 

時(shí)間常數(shù)0-63%1,2,3

typ. 51

typ. 13

ms

直流輸出電壓1,2,3

typ. 9.35

typ. 1.47

mV

直流靈敏度1,2,3

typ. 171

typ. 39

V/W

噪聲電壓2

typ. 33

typ. 24

nV/Hz?

噪聲等效功率NEP1,2,3

typ. 0.19

typ. 0.62

nW/Hz?

比靈敏度D*1,2,3

typ. 6.27*108

typ. 1.61*108

cmHz?/W

熱電堆的電阻2

typ. 65

typ. 35

熱敏電阻

PTC Ni1000,其他按需提供:技術(shù)規(guī)格請(qǐng)參見文件“熱敏電阻"。

充填氣體3

Kr,其他按需提供

濾光

請(qǐng)參見文件“紅外濾光片",定制濾光片按需提供。

工作溫度

-20 ... +85

-20 ... +85

°C

外殼

TO39

TO39

 

 

1. 在T=500 K,E=38 W/m2的情況下,不受濾波器特性的影響。

2. 在Tamb = 25 °C時(shí)。

3.使用氪氣填充,其他氣體根據(jù)客戶要求提供。

典型操作特性

MTS4SENS 熱電堆探測(cè)器 

MTS4SENS 熱電堆探測(cè)器 

電氣示意圖

MTS4SENS 熱電堆探測(cè)器 

電路

等效電路圖

MTS4SENS 熱電堆探測(cè)器 

機(jī)械制圖

底部

MTS4SENS 熱電堆探測(cè)器 

頂部

MTS4SENS 熱電堆探測(cè)器 

截面圖MTS1TEMP80/44

MTS4SENS 熱電堆探測(cè)器 

截面圖

MTS4SENS 熱電堆探測(cè)器 

產(chǎn)品概述

型號(hào)

類型

填充氣體

低溫度

最高溫度

光圈

應(yīng)用

TS4x200B-A-S1.5-1-Kr-D2/E1/F1/G2

TO39 with cap

Kr

-20 °C

180 °C

1.5 mm

低二氧化碳濃度的3C

TS4x200B-A-S1.5-1-Kr-D2/E2/F1/G2

TO39 with cap

Kr

-20 °C

85 °C

1.5 mm

高二氧化碳濃度的3C

TS4x200B-A-S1.5-1-Kr-E1/K1/V1/W1

TO39 with cap

Kr

-20 °C

85 °C

1.5 mm

麻醉

TS4x200B-A-S1.5-1-Kr-I1/E1/M1/D2

TO39 with cap

Kr

-20 °C

85 °C

1.5 mm

測(cè)試

TS4x200B-A-S1.5-1-Kr-I1/L1/H1/D5

TO39 with cap

Kr

-20 °C

85 °C

1.5 mm

氮氧化物

TS4x44S-A-S1.5-1-Kr-D2/E1/F1/G2

TO39 with cap

Kr

-20 °C

85 °C

1.5 mm

低二氧化碳濃度的3C

TS4x44S-A-S1.5-1-Kr-D2/E2/F1/G2

TO39 with cap

Kr

-20 °C

85 °C

1.5 mm

高二氧化碳濃度的3C

TS4x44S-A-S1.5-1-Kr-I1/E1/M1/D2

TO39 with cap

Kr

-20 °C

85 °C

1.5 mm

測(cè)試

TS4x44S-A-S1.5-1-Kr-I1/L1/H1/D5

TO39 with cap

Kr

-20 °C

85 °C

1.5 mm

氮氧化物

 

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